上海交通大学招聘博士后/工程师

CQSJTU · 发表于 2020-3-5 18:43

本帖最后由 CQSJTU 于 2020-4-7 18:01 编辑

招聘岗位：

纳米材料与器件方向博士后、计算纳米电子学/TCAD/电路设计的博士后、电子器件工艺工程师、化学气相沉积设备CVD/MBE工程师、激光应用工程师

工作单位介绍：

本实验室是上海交通大学微纳工程科学重点实验室。实验室致力于发展新一代具有竞争力的纳米技术，为工程技术人员提供一个良好的发展平台。

岗位详情：

一、纳米材料与器件方向博士后

团队因科研需要，现诚邀博士后研究人员协助工作。从事导电纳米材料（无机、有机及杂化材料均予考虑）研究及相关器件的探索。诚挚欢迎有志于相关方向的青年学者申请。
研究方向
1. 导电纳米材料（无机、有机及杂化材料均在考虑范围内）的设计、制备及表征；
2. 相关器件（如传感器、集成电路等）研发。
岗位要求
1. 已获博士学位或已通过博士学位论文答辩；
2. 至少一个学位涉及但不限于物理、化学、化工、材料、纳米技术、精密仪器以及电子工程；
3. 身体健康，责任心强，热爱科研工作，具有良好的团队合作意识和创新能力；
4. 具有较强的中、英文书面表达能力；
5. 具备在理、工科实验室学习、研究或工作经验。具有研究导电纳米材料或相关器件经验者优先考虑。
岗位职责
1. 完成相关科研项目；
2. 协助指导研究生。

二、计算纳米电子学/TCAD/电路设计的博士后

岗位介绍：

1. 参与设计和开发CMOS以及新型晶体管。

2. 主要课题包括：

A）为器件的应用通过计算模拟的方式研究和寻找合适的材料。

B）通过量子或者经典的输运模型评测某种材料的器件表现。

C）通过TCAD开发不同的器件模型，为新型晶体管比如纳米线晶体管或FinFET设计电路。

岗位要求：

电子工程，应用物理，材料的博士

有固态物理器件，半导体物理或者电路设计的背景

精通于量子计算（DFT-NEGF）,器件模拟（TCAD）.

Position Summary

1. You will have opportunity to be at the fore front of developing new technologies, specifically in CMOS and emerging transistors.

2. The primary responsibilities include:

(a) exploring the fundamentals of materials for the identification of promising properties for device applications. This is achieved by calculating electronic properties with the focus on advanced materials, molecular nanostructures, nano-junctions, and nanowires.

(b) Assessing the electrical performance of devices based on promising materials via quantum or classical transport model.

(c) Developing various process and device models using Technology Computer-Aided Design (TCAD) for predictive analysis of future technologies (advanced FET architectures, such as nanowires and finfet).

(d) Designing circuits based on the unique characteristics of the advanced transistors.

Requires

1. Master’s or PhD degree in Electrical Engineering, Applied Physics or Material Sciences.

2. Strong fundamental understanding of solid-state device/semiconductor physics and circuit design.

3. Deep experience in quantum-based computational (DFT-NEGF), process, and device modeling (TCAD).

三、电子器件工艺工程师

招聘人数：2名

岗位职责：

1. 纳米材料MOS器件结构设计、工艺开发、性能表征和测量；

2. 在相关导师的指导下完成纳米电子器件的加工任务，解决实验室工艺相关的问题；

3. 为实验室的前沿科学探索项目提供技术支持。

岗位要求：

1. 微电子、物理与电子材料学专业。熟悉半导体器件物理和固体物理，熟悉模拟电路及数字电路等相关基础专业知识；

2. 研究生以上学历，具有纳米器件的超净间研发制备、器件电学测量等经验；

4. 熟悉光刻、刻蚀、蒸发、剥离、沉积、酸碱处理等各单步工艺及其工艺流程的整合；

5. 熟练掌握常用的半导体器件计算机模拟软件，熟练掌握版图制作软件，熟悉电路仿真软件；

6. 拥有很强的责任心，结果导向工作态度，积极热情，善于思考，具有优秀的沟通能力；

7. 身体健康，可快速到岗。

四、化学气相沉积设备CVD/MBE工程师

岗位设置和说明：

1. 负责CVD，MBE设备的安装，调试，及维护

2. 责CVD，MBE工艺的开发，按照客户需求开发新的工艺并满足客户需求

3. 负责低维材料的生长条件探索，并与实验室其余人员协同解决课题所遇到的问题

4. 协助参与部门的实验室建设和相关管理工作

岗位要求：

1. 物理、材料、电子、化学、本科（含）以上学历，硕士以上优先；

2. 有生长石墨烯、TMDC等高质量单晶、异质结结构等经验为优先；

3. CVD或者MBE的材料生长３年以上经验，熟悉各种超高真空仪器为优，或有3年以上半导体行业CVD工艺经验，熟悉CVD溅射工艺，了解CVD机台为佳；

4. 能够阅读、领会和运用各类中英文技术文件及资料，具备较强的数据分析能力，善于发现和解决问题；

5. 有较强的敬业精神和创新能力；有较强的团队合作能力。

五、激光应用工程师

岗位说明：

1. 负责激光设备的安装，光路调节及测试, 和日常维护；

2. 复杂激光生长加工等工艺研发，与实验室其余人员合作扩展激光于其余仪器的联合使用场合；

3. 协助参与部门的实验室建设和相关管理工作。

岗位要求：

1. 具有两年的激光设备使用、工艺研究的工作经验。熟练掌握激光方面仿真软件的优越考虑；

2. 硕士及以上学历，激光、物理、材料、光学工程等相关专业；

3. 熟悉激光设备的构成及工作原理，理解激光材料相互作用过程，有用激光设备生长低维材料经验为优先；

4. 善于沟通，有团队合作精神。

薪酬待遇：

(一) 博士后岗位

1. 年薪24万元以上，提供具有市场竞争力的薪酬，具体额度由导师及博士后本人协商确定；

2. 提供必要的办公、科研与实验条件；

3. 按照上海市和上海交通大学博士后管理政策办理有关落户事宜；

4. 享受社会保险、公积金等福利待遇；

5. 博士后出站若留上海工作，配偶及子女可随迁落户。

（二）电子器件工艺工程师岗位

1. 年薪20万元以上，提供具有市场竞争力的薪酬，具体面谈。

2. 良好的校园工作环境。

（三）化学气相沉积设备CVD/MBE工程师及激光应用工程师

年薪16万元以上，提供具有市场竞争力的薪酬体系

应聘方式：

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晓木虫

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