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微光显微镜(Emission Microscope, EMMI)是一种相当有用且效率极高的分析工具。主要侦测IC内部所放出光子。在IC元件中，EHP(Electron Hole Pairs) Recombination会放出光子(Photon)。举例说明:在P-N 结加偏压，此时N阱的电子很容易扩散到P阱，而P的空穴也容易扩散至N然后与P端的空穴(或N端的电子)做 EHP Recombination。
侦测得到亮点之情况: 会产生亮点的缺陷 - 漏电结(Junction Leakage); 接触毛刺(Contact spiking); (热电子效应)Hot electrons；闩锁效应( Latch-Up);氧化层漏电( Gate oxide defects / Leakage(F-N current));多晶硅晶须( Poly-silicon filaments); 衬底损伤(Substrate damage); (物理损伤)Mechanical damage等。 原来就会有的亮点 - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse;biased diodes(break down) 等。
侦测不到亮点之情况: 不会出现亮点的故障 - 欧姆接触;金属互联短路;表面反型层;硅导电通路等。 亮点被遮蔽之情况 - Buried Junctions及Leakage sites under metal，这种情况可以采用backside模式，但是只能探测近红外波段的发光，且需要减薄及抛光处理。 OBIRCH(光束诱导电阻变化) 光诱导电阻变化(OBIRCH)模式能快速准确的进行IC中元件的短路、布线和通孔互联中的空洞、金属中的硅沉积等缺陷。其工作原理是利用激光束在恒定电压下的器件表面进行扫描，激光束部分能量转化为热能，如果金属互联线存在缺陷，缺陷处温度将无法迅速通过金属线传导散开，这将导致缺陷处温度累计升高，并进一步引起金属线电阻以及电流变化，通过变化区域与激光束扫描位置的对应，定位缺陷位置。OBIRCH模式具有高分辨能力，其测试精度可达nA级。 PEM(Photo Emission Microscope) 光束诱导电阻变化(OBIRCH)功能与光发射(EMMI)常见集成在一个检测系统，合称PEM(Photo Emission Microscope)，两者互为补充，能够很好的应对绝大多数失效模式。
微光显微镜 | 
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